リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層濃度依存性
リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層濃度依存性
复制标题
磷处理的 SiC MOSFET 中沟道迁移率的体层浓度依赖性
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
木本 恒暢
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
伊藤 滉二;堀田 昌宏;須田 淳;木本 恒暢
