Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ型水素ガスセンサの応答メカニズム
Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ型水素ガスセンサの応答メカニズム
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Pd/AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管型氢气传感器响应机理
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Nakamura;N.Takahashi;T.Okumura;吉田朗子,中村成志,奥村次徳;渡辺晶史,中村成志,奥村次徳;瀧本拓真,中村成志,奥村次徳
