GaN-based MOS structures processed with plasma-assisted dry etching
GaN-based MOS structures processed with plasma-assisted dry etching
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采用等离子体辅助干法刻蚀加工的 GaN 基 MOS 结构
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Masutomi;A.Sekine;K.Sasaki;K.Sawano;Y.Shiraki;T.Okamoto;清水彰則・森直・福原学・楊成・井上佳久・山田眞二;榊茂之;T. Hashizume
