Unintentional carbon and hydrogen incorporation in GaNP grown by metal-organic chemical vapor deposition
Unintentional carbon and hydrogen incorporation in GaNP grown by metal-organic chemical vapor deposition
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金属有机化学气相沉积生长的 GaN 中无意的碳和氢掺入
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2003.07.011
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发表时间：
2003
影响因子：
1.8
通讯作者：
W. Metzger
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Geisz;R. Reedy;B. Keyes;W. Metzger
