Molecular dynamics simulation of hydrogen isotope-terminated silicon(111) and (110) surfaces: Calculation of vibrational energy relaxation rates of hydrogen isotope stretching modes
Molecular dynamics simulation of hydrogen isotope-terminated silicon(111) and (110) surfaces: Calculation of vibrational energy relaxation rates of hydrogen isotope stretching modes
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氢同位素封端硅(111)和(110)表面的分子动力学模拟：计算氢同位素伸缩模式的振动能量弛豫率
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Ho
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ying;Hsiu;M. Ho
