Violet and blue emitting (In,Ga)N/GaN multiple quantum wells grown on γ-LiAlO2(100) by radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy
Violet and blue emitting (In,Ga)N/GaN multiple quantum wells grown on γ-LiAlO2(100) by radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy
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通过射频等离子体辅助分子束外延在 γ-LiAlO2(100) 上生长紫光和蓝光发射 (In,Ga)N/GaN 多量子阱
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Ploog
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Waltereit;O. Brandt;K. Ploog
本文研究了用射频等离子体辅助分子束外延技术在γ-LiAlO 2上生长GaN和（In，Ga）N/GaN多量子威尔斯阱。GaN层表现出良好的光学和电学性能，而结构质量受到劣质衬底形态的显著影响。（In，Ga）N/GaN多量子阱结构在室温下具有较强的紫光和蓝光光致发光。
We study the growth of GaN and (In,Ga)N/GaN multiple quantum wells on γ-LiAlO2 by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy. The GaN layers exhibit promising optical and electrical properties, whereas the structural quality is significantly influenced by inferior substrate morphology. The (In,Ga)N/GaN multiple quantum well structures show intense room-temperature photoluminescence in the violet and blue spectral range.