N-H-related deep-level defects in dilute nitride semiconductor GaInNAs for four-junction solar cells
N-H-related deep-level defects in dilute nitride semiconductor GaInNAs for four-junction solar cells
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用于四结太阳能电池的稀氮化物半导体 GaInNA 中与 N-H 相关的深能级缺陷
DOI：
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
Yoshitaka Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yilun He;Naoya Miyashita;Yoshitaka Okada
