Single-electron transistor operation of a physically defined silicon quantum dot device fabricated by electron beam lithography employing a negative-tone resist
Single-electron transistor operation of a physically defined silicon quantum dot device fabricated by electron beam lithography employing a negative-tone resist
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使用负性抗蚀剂通过电子束光刻技术制造的物理定义的硅量子点器件的单电子晶体管操作
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Takahiro Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shimpei Nishiyama;Kimihiko Kato;Yongxun Liu;Raisei Mizokuchi;Jun Yoneda;Tetsuo Kodera;and Takahiro Mori
