In-situ observations of melt growth behavior of polycrystalline silicon
In-situ observations of melt growth behavior of polycrystalline silicon
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2003.10.075
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发表时间：
2004-02
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Fujiwara;Yoshikazu Obinata;T. Ujihara;N. Usami;G. Sazaki;K. Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Fujiwara;Yoshikazu Obinata;T. Ujihara;N. Usami;G. Sazaki;K. Nakajima
