T.Hashizume,H.Hasegawa,G.Tochitani & M.Shimozuma: "Annealing Behavior of HF-Treated GaAs Capped with SiO_2 Films Prepared by 50-Hz Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31. 3794-3800 (1992)
T.Hashizume,H.Hasegawa,G.Tochitani & M.Shimozuma: "Annealing Behavior of HF-Treated GaAs Capped with SiO_2 Films Prepared by 50-Hz Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31. 3794-3800 (1992)
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T·桥爪、H·长谷川、G·栃谷
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