Carrier capture in InAs monolayer quantum wells grown on GaAs substrates

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DOI:
10.1016/s0167-9317(98)00176-2
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发表时间:
1998-08
影响因子:
2.3
通讯作者:
S. Chua;Shijie Xu;X. H. Zhang;Xiaowei Zhang
S. Chua;Shijie Xu;X. H. Zhang;Xiaowei Zhang
中科院分区:
工程技术3区
文献类型:
--
作者:
S. Chua;Shijie Xu;X. H. Zhang;Xiaowei Zhang

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