Improvement of Interface Properties of Ge-MISFET with Crystalline La2O3 High-k/Ge(111) Gate Stacks by Wet Treatment
Improvement of Interface Properties of Ge-MISFET with Crystalline La2O3 High-k/Ge(111) Gate Stacks by Wet Treatment
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湿法处理改善 Ge-MISFET 与结晶 La2O3 High-k/Ge(111) 栅堆叠的界面性能
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kanashima;H. Furusho;K. Takayama;H. Nohira;K. Yamamoto;H. Nakashima
