p-NiO/n(+)-Si single heterostructure for one diode-one resistor memory applications
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用于一二极管一电阻存储器应用的 p-NiO/n( )-Si 单异质结构
DOI：
10.1016/jjallcom.2017.06.049
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发表时间：
2017
影响因子：
6.2
通讯作者：
Liu Yichun
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhang Lei;Xu Haiyang;Wang Zhongqiang;Liu Weizhen;Shi Kaixi;Lin Ya;Liu Yichun
