Etching of cubic GaN by annealing in hydrogen ambient
Etching of cubic GaN by annealing in hydrogen ambient
复制标题
DOI：
10.1016/s0022-0248(98)00274-7
复制
发表时间：
1998-06
影响因子：
1.8
通讯作者：
Hidenao Tanaka;A. Nakadaira
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hidenao Tanaka;A. Nakadaira
