High performance 0.25 /spl mu/m SiGe and SiGe:C HBTs using non selective epitaxy
High performance 0.25 /spl mu/m SiGe and SiGe:C HBTs using non selective epitaxy
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采用非选择性外延的高性能 0.25 /spl mu/m SiGe 和 SiGe:C HBT
DOI：
10.1109/bipol.2001.957855
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Chantre
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Baudry;B. Martinet;C. Fellous;O. Kermarrec;Y. Campidelli;M. Laurens;M. Marty;J. Mourier;G. Troillard;A. Monroy;D. Dutartre;D. Bensahel;G. Vincent;A. Chantre
研制了一种采用非选择性外延的0.25/SPLµ/m双层多晶SiGe HBT结构。该器件采用70/90 GHz f/subT//f/submax/，纯SiGe基片，采用0.25/SPL Mu/m BiCMOS工艺。SiGe：C基区晶体管的性能高达120/100 GHz f/subT//f/submax/。
A robust 0.25 /spl mu/m double-poly SiGe HBT structure using non selective epitaxy has been developed. The device features 70/90 GHz f/sub T//f/sub max/ with pure SiGe base in 0.25 /spl mu/m BiCMOS technology. Performances up to 120/100 GHz f/sub T//f/sub max/ are demonstrated for SiGe:C base transistors.