Minituarization of Exposure Area for Electron Beam Lithography using Proximity Effect Correction toward Si Optical Circuits
Minituarization of Exposure Area for Electron Beam Lithography using Proximity Effect Correction toward Si Optical Circuits
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利用硅光路邻近效应校正实现电子束光刻曝光区域的小型化
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Arai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Atsumi;N. Taksatorn;Y. Miyamoto;N. Nishiyama;S. Arai
