A New Write Stability Metric for Yield Estimation in SRAM Cells at Low Supply Voltage
A New Write Stability Metric for Yield Estimation in SRAM Cells at Low Supply Voltage
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用于估计低电源电压下 SRAM 单元良率的新写入稳定性指标
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hao Qiu;Kiyoshi Takeuchi;Tomoko Mizutani;Takuya Saraya;Masaharu Kobayashi;Toshiro Hiramoto
