Resistive switching characteristics of CMOS embedded HfO2-based 1T1R cells
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DOI：
10.1016/j.mee.2011.03.123
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发表时间：
2011-07
影响因子：
2.3
通讯作者：
D. Walczyk;C. Walczyk;T. Schroeder;T. Bertaud;M. Sowinska;M. Lukosius;M. Fraschke;B. Tillack;C. Wenger
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Walczyk;C. Walczyk;T. Schroeder;T. Bertaud;M. Sowinska;M. Lukosius;M. Fraschke;B. Tillack;C. Wenger
