ミストCVD法により作製したAl2O3薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用
ミストCVD法により作製したAl2O3薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用
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雾气CVD法制备Al2O3薄膜及其在GaN基MIS-HEMT中的应用
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
谷田部 然治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
本山 智洋;Ali Baratov;Rui Shan Low;浦野 駿;中村 有水;葛原 正明;Joel T. Asubar;谷田部 然治
