Analysis of carrier behavior in pentacene FET with P(VDF-TeFE)gate insulator using displacement current measurement
Analysis of carrier behavior in pentacene FET with P(VDF-TeFE)gate insulator using displacement current measurement
复制标题
使用位移电流测量分析具有 P(VDF-TeFE) 栅极绝缘体的并五苯 FET 的载流子行为
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Shuhei Yoshita
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
竹井義博;Adichai Pornprommin;泉典洋;Shuhei Yoshita
