Explicit lower bounds on strong simulation of quantum circuits in terms of $T$-gate count
Explicit lower bounds on strong simulation of quantum circuits in terms of $T$-gate count
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就 $T$ 门数而言，量子电路强模拟的显式下限
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Szegedy
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Cupjin Huang;M. Newman;M. Szegedy
研究了具有少量T-门的Clifford+ T-量子电路.使用稀疏化引理，我们确定时间复杂度的下限在$T$-门计数低于一个强大的模拟器将提高国家的最先进的3 $-SAT解决。
We investigate Clifford+$T$ quantum circuits with a small number of $T$-gates. Using the sparsification lemma, we identify time complexity lower bounds in terms of $T$-gate count below which a strong simulator would improve on the state-of-the-art $3$-SAT solving.
影响因子：
5.7
作者：
Wang, Yazhen
通讯作者：
Wang, Yazhen