Bias stability for a-In-Ga-Zn-O-TFTs : Origin of threshold voltage instability and the role of thermal annealing and passivation
Bias stability for a-In-Ga-Zn-O-TFTs : Origin of threshold voltage instability and the role of thermal annealing and passivation
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a-In-Ga-Zn-O-TFT 的偏置稳定性：阈值电压不稳定的根源以及热退火和钝化的作用
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hideo Hosono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kenji Nomura;Toshio Kamiya;Hideo Hosono
