水素終端化シリコン基板と酸化グラフェンの界面化学反応と電子移動特性
水素終端化シリコン基板と酸化グラフェンの界面化学反応と電子移動特性
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氢封端硅衬底与氧化石墨烯的界面化学反应及电子传递特性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
國府 翔,屠 宇迪,一井 崇,宇都宮 徹,杉村 博之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sho Kokufu;Yudi Tu;Takashi Ichii;Toru Utsunomiya;Hiroyuki Sugimura;國府 翔,屠 宇迪,一井 崇,宇都宮 徹,杉村 博之
