H.Sohn: "Over-relaxation of misfit strain in heavily carbon-doped GaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy after annealing" Applied Physics Letters. to be published. (1994)
H.Sohn: "Over-relaxation of misfit strain in heavily carbon-doped GaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy after annealing" Applied Physics Letters. to be published. (1994)
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H.Sohn：“退火后通过金属有机分子束外延生长的重碳掺杂 GaAs 中失配应变的过度松弛”《应用物理快报》。
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