デルタドープGaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の電子密度依存性
デルタドープGaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の電子密度依存性
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δ 掺杂 GaAs(110) 对称量子阱中自旋弛豫时间的电子密度依赖性
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
明楽浩史，鈴浦秀勝，江上喜幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kojima;N.;Takeuchi;S. and Sakai;Y.;江上喜幸，明楽浩史;明楽浩史，鈴浦秀勝，江上喜幸
