Steep Slope (<60mV/dec) and Hysteresis Characteristics in Junctionless SOI Transistors at Low Drain Voltage of 50mV
Steep Slope (<60mV/dec) and Hysteresis Characteristics in Junctionless SOI Transistors at Low Drain Voltage of 50mV
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无结 SOI 晶体管在 50mV 低漏极电压下的陡峭斜率 (<60mV/dec) 和迟滞特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Min-Ju Ahn ;Kiyoshi Takeuchi;Takuya Saraya;Masaharu Kobayashi ;and Toshiro Hiramoto
无结晶体管中碰撞电离引起的动态浮体效应
DOI：
10.1016/j.sse.2013.02.056
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Yu;A. Nazarov;V. Lysenko;Samaresh Das;I. Ferain;P. Razavi;M. Shayesteh;A. Kranti;R. Duffy;J. Colinge
通讯作者：
J. Colinge