The influence of indium on the growth of GaN from solution under high pressure
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2010.04.018
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发表时间：
2010-09
影响因子：
1.8
通讯作者：
I. Grzegory;M. Boćkowski;P. Strak;S. Krukowski;S. Porowski
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I. Grzegory;M. Boćkowski;P. Strak;S. Krukowski;S. Porowski
