Bias-modulated switching in Chern insulator
Bias-modulated switching in Chern insulator
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陈绝缘子中的偏置调制开关
DOI：
10.1088/1367-2630/ac8896
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发表时间：
2022-08
影响因子：
3.3
通讯作者：
Qing Lin He
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu Huang;Huimin Sun;Mengyun He;Yu Fu;Peng Zhang;Kang L Wang;Qing Lin He
陈绝缘体通过表面量子化霍尔电流和磁电效应表现出来。表面磁化强度的操纵能够控制无耗散的手性输运，从而实现低能耗拓扑磁电器件的潜在应用。在这里，我们提出了利用陈绝缘体中的磁电耦合进行偏置调制切换磁态的实验研究。这是通过应用直流电来实现的。源极和漏极在各种磁态下产生偏置，在此期间产生有效磁场以将量子反常霍尔态切换到相反的状态。综合输运研究表明，开关效率与偏压的幅度和施加时间成正比，取决于初始磁状态，但对电极性不敏感。我们的结果提供了一种有效的方案来操纵陈绝缘体并理解手性边缘态的电击穿。
The Chern insulator manifests itself via the surface quantized Hall current and magnetoelectric effect. The manipulation of surface magnetizations enables a control of the dissipationless chiral transport and thus allows for potential applications of topological magnetoelectric devices with low-energy consumption. Here, we present experimental studies of bias-modulated switching the magnetic states utilizing the magnetoelectric coupling in a Chern insulator. This is achieved via applying a d.c. bias across the source and drain at various magnetic states, during which an effective magnetic field is developed to switch the quantum anomalous Hall state towards its opposite. Comprehensive transport studies show that the switch efficiency is proportional to the amplitude and applying time of the bias, depends on the initial magnetic state, but is insensitive to the electric polarity. Our results provide an efficient scheme to manipulate the Chern insulator and understanding on the electric breakdown of chiral edge states.
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DOI：
10.1209/0295-5075/100/17013
发表时间：
2012-02
期刊：
Europhysics Letters
影响因子：
--
作者：
Rui-Lin Chu;Jie Lu;S. Shen
通讯作者：
Rui-Lin Chu;Jie Lu;S. Shen
拓扑自旋电子学和磁电子学
影响因子：
41.2
作者：
He, Qing Lin;Hughes, Taylor L.;Wang, Kang L.
通讯作者：
Wang, Kang L.
影响因子：
3.7
作者：
P. Upadhyaya;Y. Tserkovnyak
通讯作者：
P. Upadhyaya;Y. Tserkovnyak
影响因子：
41.2
作者：
Fan, Yabin;Upadhyaya, Pramey;Wang, Kang L.
通讯作者：
Wang, Kang L.
影响因子：
5.7
作者：
Wang, Wenbo;Chang, Cui-Zu;Wu, Weida
通讯作者：
Wu, Weida