Origin of the high temperature performance degradation of 1.5 /spl mu/m lnGaAs(P)/lnP quantum well lasers
Origin of the high temperature performance degradation of 1.5 /spl mu/m lnGaAs(P)/lnP quantum well lasers
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1.5 /spl mu/m lnGaAs(P)/lnP量子阱激光器高温性能退化的根源
DOI：
10.1109/leos.2003.1253133
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
P. Thijs
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Sweeney;P. Thijs
1.5 μ/mInGaAs（P）激光器效率的高温衰减是由于俄歇复合和内吸收之间的强耦合引起的。这可以使用一个简单的分析模型来解释。
High temperature degradation of the efficiency of 1.5 /spl mu/m InGaAs(P) lasers is shown to be due to strong coupling between Auger recombination and internal absorption. This is explained using a simple analytical model.