Investigation of Plasma Nitridation of Silicon (111) as a Mask Layer for GaN Selective Area Growth
Investigation of Plasma Nitridation of Silicon (111) as a Mask Layer for GaN Selective Area Growth
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硅 (111) 等离子体氮化作为 GaN 选择性区域生长掩模层的研究
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Sugai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Ishijima;S.Frederico;Y.Honda;H.Sugai
