Interlayer Transition and Infrared Photodetection in Atomically Thin Type-II MoTe2/MoS2 van der Waals Heterostructures
Interlayer Transition and Infrared Photodetection in Atomically Thin Type-II MoTe2/MoS2 van der Waals Heterostructures
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原子薄 II 型 MoTe2/MoS2 范德华异质结构中的层间跃迁和红外光电探测
DOI：
10.1021/acsnano.6b00980
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发表时间：
2016-03-01
期刊：
影响因子：
17.1
通讯作者：
Dai, Ning
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Kenan;Zhang, Tianning;Dai, Ning
我们证明了MoTe_2/MoS_2货车德瓦尔斯（vdW）异质结构中的第二类交错带排列和层间光学跃迁在1.55附近。通过Kelvin探针力显微镜（KPFM）、密度泛函理论（DFT）模拟和光致发光（PL）光谱验证了MoTe_2/MoS_2 vdW异质结构之间的光致电荷分离。光电测量的MoTe 2/MoS 2 VDW异质结在红外区（1550 nm）显示出明显的光电流响应。具有强层间耦合的II型vdW异质结构的创建可以提高我们对vdW异质结构背后的基本物理的基本理解，并有助于下一代红外光电子学的设计。
We demonstrate the type -II staggered band alignment in MoTe2/MoS2 van der Waals (vdW) heterostructures and an interlayer optical transition at similar to 1.55 The photoinduced charge separation between the MoTe2/MoS2 vdW heterostructure is verified by Kelvin probe force microscopy (KPFM) under illumination, density function theory (DFT) simulations and photoluminescence (PL) spectroscopy. Photoelectrical measurements of MoTe2/MoS2 vdW heterostructures show a distinct photocurrent response in the infrared regime (1550 nm). The creation of type -II vdW heterostructures with strong interlayer coupling could improve our fundamental understanding of the essential physics behind vdW heterostructures and help the design of next-generation infrared optoelectronics.