Permittivity Enhancement of Hf_<(1-x)>Si_xO_2 Film with High Temperature Annealing
Permittivity Enhancement of Hf_<(1-x)>Si_xO_2 Film with High Temperature Annealing
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高温退火增强Hf_<(1-x)>Si_xO_2薄膜的介电常数
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Tomida;K.Kita;A.Toriumi
