Embedded SRAM Circuit Technologies for a 45nm and beyond
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适用于 45 纳米及以上工艺的嵌入式 SRAM 电路技术
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroyuki Yamauchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hyunho Kang;Koutarou Yamaguchi;Brian Kurkoski;Kazuhiko Yamaguchi;and Kingo Kobayashi;Hiroyuki Yamauchi
