Characterisation of defects in rare earth implanted GaN by deep level transient spectroscopy
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DOI：
10.1016/j.spmi.2004.09.027
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发表时间：
2004-10
影响因子：
3.1
通讯作者：
A. Colder;P. Marie;T. Wojtowicz;P. Ruterana;S. Eimer;L. Méchin;K. Lorenz;U. Wahl;E. Alves;V. Matias;M. Mamor
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Colder;P. Marie;T. Wojtowicz;P. Ruterana;S. Eimer;L. Méchin;K. Lorenz;U. Wahl;E. Alves;V. Matias;M. Mamor
