NbNiシリサイドコンタクト4H-SiC nMOSFETsの高ガンマ線照射後及び高温時の動作特性
NbNiシリサイドコンタクト4H-SiC nMOSFETsの高ガンマ線照射後及び高温時の動作特性
复制标题
NbNi 硅化物接触 4H-SiC nMOSFET 在高伽马辐照和高温下的工作特性
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Carl-Mikael Zetterling
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
長妻 宏郁;黒木 伸一郎;Milantha De Silva;石川 誠治;前田 知徳;瀬崎 洋;吉川 公麿;牧野 高紘;大島 武;Mikael Ostling;Carl-Mikael Zetterling
