Dopant activation after ion shower doping for the fabrication of low-temperature poly-Si TFTs
Dopant activation after ion shower doping for the fabrication of low-temperature poly-Si TFTs
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用于制造低温多晶硅 TFT 的离子喷淋掺杂后的掺杂剂激活
DOI：
10.1016/j.tsf.2004.07.034
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
J. Ro
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Dong;Dae‐Sup Kim;J. Ro
