Tunability of spin Hall effect of light with semiconductor metamaterial based on magneto-optical effects
Tunability of spin Hall effect of light with semiconductor metamaterial based on magneto-optical effects
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基于磁光效应的半导体超材料光自旋霍尔效应的可调谐性
DOI：
10.1007/s11082-018-1538-5
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发表时间：
2018-06
影响因子：
3
通讯作者：
B. Guo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Zheng;C. Gao;B. Guo
在本文中，我们展示了一个三层结构来探索光的自旋霍尔效应（SHEL）的特性。假设该结构是由一种半导体超材料制成的，该材料周期性地由和组成，并包覆有两种不同的介电介质，玻璃和。我们详细研究了玻璃半导体超材料的自旋霍尔效应是如何在暴露于外磁场后由于磁光效应而调谐的。计算并讨论了法拉第效应和Voigt效应对能级垂直和水平位移的影响。结果表明，磁光效应显著增强或减弱了SHEL的行为，但影响方式不同。本文提出的简单结构可以为研究与SHEL相关的更复杂的系统提供有意义的结果。
In this paper, we have demonstrated a three-layer structure to explore the characteristics of spin Hall effect of light (SHEL). It is assumed that the structure is made of a semiconductor metamaterial which consists ofandperiodically and cladded with two different dielectrics, glass and. We investigated in detail how the spin Hall effect of reflected light at glass-semiconductor metamaterial is tuned after being exposed to an external magnetic field due to the magneto-optical effects. The Faraday and Voigt effects on the vertical and horizontal shifts of SHEL are calculated and discussed. The results show that magneto-optical effects have significantly enhanced or weakened the behavior of SHEL but the way of impact is different. This simple structure proposed in the paper can be used for yielding meaningful results for studying more complex systems related to SHEL.
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