In-plane photoconductivity of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs layer
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嵌入应变弛豫 InGaAs 层中的 InAs 量子点的面内光电导
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Toshiro Isu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Murakumo;Naoto Kumagai;Takahiro Kitada;and Toshiro Isu
