Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing
Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing
复制标题
Ge(111)上异质外延Al生长及退火导致Ge晶体偏析
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Miyazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kobayashi;A. Ohta;M. Kurosawa;M. Araidai;M. Ikeda;N. Taoka;T. Shimizu;K. Makihara;and S. Miyazaki
