Admittance spectroscopy analysis on the interfacial defect levels in the surface-activated bonding of GaAs
Admittance spectroscopy analysis on the interfacial defect levels in the surface-activated bonding of GaAs
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GaAs表面激活键合界面缺陷能级的导纳谱分析
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Masakazu Sugiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daiji Yamashita;Kentaroh Watanabe;Masahisa Fujino;Takuya Hoshii;Yoshitaka Okada;Yoshiaki Nakano;Tadatomo Suga;and Masakazu Sugiyama
