Investigations of phonon sidebands in InGaN/GaN multi-quantum well luminescence
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DOI：
10.1016/s0921-5107(02)00024-7
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发表时间：
2002-05
影响因子：
3.6
通讯作者：
R. Pecharromán-Gallego;P. Edwards;R. Martin;I. Watson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Pecharromán-Gallego;P. Edwards;R. Martin;I. Watson
