Si基板上の活性層埋め込み型弗化物共鳴トンネルダイオードの製作
Si基板上の活性層埋め込み型弗化物共鳴トンネルダイオードの製作
复制标题
Si衬底上有源层嵌入氟化物谐振隧道二极管的制作
DOI：
--
复制
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
筒井一生
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
渡邊聡;神林宏;関根広志;筒井一生
