[100] 方位に作製した高Q値シリコンナノ共振器からのラマン散乱
[100] 方位に作製した高Q値シリコンナノ共振器からのラマン散乱
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以 [100] 方向制造的高 Q 硅纳米腔的拉曼散射
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高橋 和，乾 善貴，千原 賢大，浅野 卓，野田 進
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bando;Y.; Maeda;H.;T. Hirahara;高橋 和，乾 善貴，千原 賢大，浅野 卓，野田 進
