Influence of Carbon and Oxygen Impurities on Bulk Lifetime-Control Defects in Silicon Crystals for Power Device Application
Influence of Carbon and Oxygen Impurities on Bulk Lifetime-Control Defects in Silicon Crystals for Power Device Application
复制标题
碳和氧杂质对功率器件应用硅晶体体寿命控制缺陷的影响
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hidekazu Yamamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daiki Tsuchiya;Koji Sueoka;Hidekazu Yamamoto
