Comparison of crystalline quality in InGaN grown on (000-1) and (0001)GaN/Sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy
Comparison of crystalline quality in InGaN grown on (000-1) and (0001)GaN/Sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy
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通过金属有机气相外延在 (000-1) 和 (0001)GaN/蓝宝石上生长的 InGaN 晶体质量比较
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tanikawa;R. Katayama;and T. Matsuoka
