Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications
Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications
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嵌入应变弛豫 In0.35Ga0.65As 势垒中的自组装 InAs 量子点的快速载流子弛豫，用于超快非线性光开关应用
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.10.049
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发表时间：
2009
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Isu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kitada;Takuya Mukai;Tomoya Takahashi;K. Morita;T. Isu
