M.Watanabe: "Low temperature (〜420℃) epitaxial growth of CaF2/Si(111)by IonizedーClusterーBeam technique" Japan.J.Appl.Phys.29. 1803-1804 (1990)
M.Watanabe: "Low temperature (〜420℃) epitaxial growth of CaF2/Si(111)by IonizedーClusterーBeam technique" Japan.J.Appl.Phys.29. 1803-1804 (1990)
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M.Watanabe：“通过离子化－簇束－束技术实现CaF2/Si(111)的低温（~420℃）外延生长”Japan.J.Appl.Phys.29 1803-1804 (1990)。
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