Interferometric in-situ III/V semiconductor dry-etch depth-control with ±0.8 nm best accuracy using a quadruple-Vernier-scale measurement
Interferometric in-situ III/V semiconductor dry-etch depth-control with ±0.8 nm best accuracy using a quadruple-Vernier-scale measurement
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使用四倍游标尺测量进行干涉式原位 III/V 半导体干法蚀刻深度控制，最佳精度为 ±0 8 nm
DOI：
10.1116/6.0001209
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Fouckhardt
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Sombrio;E. Oliveira;J. Strassner;Chr. Doering;H. Fouckhardt
利用反射各向异性光谱 (RAS) 进行原子层敏感原位等离子体蚀刻深度控制
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
Optical Metrology
影响因子：
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作者：
Christoph Doering;A. Kleinschmidt;Lars Barzen;J. Strassner;H. Fouckhardt
通讯作者：
H. Fouckhardt