Reduction of Dislocation Densities of Ge Layers Grown on Si Substrates by Using Microwave Plasma Heating and Fabrication of High Hole Mobility MOSFETs on Ge Layers
Reduction of Dislocation Densities of Ge Layers Grown on Si Substrates by Using Microwave Plasma Heating and Fabrication of High Hole Mobility MOSFETs on Ge Layers
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利用微波等离子体加热降低 Si 衬底上生长的 Ge 层的位错密度以及在 Ge 层上制造高空穴迁移率 MOSFET
DOI：
10.4236/msce.2017.51006
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiyuki Takamatsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiroki Nakaie;Tetsuji Arai;Chiaya Yamamoto;Keisuke Arimoto;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Toshiyuki Takamatsu
