動作特性が温度無依存である半導体レーザの開発に向けたInAs1-xBix/GaAs 量子ドットのMBE成長
動作特性が温度無依存である半導体レーザの開発に向けたInAs1-xBix/GaAs 量子ドットのMBE成長
复制标题
InAs1-xBix/GaAs 量子点的 MBE 生长，用于开发具有与温度无关的工作特性的半导体激光器
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
赤羽 浩一
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
吉岡 顕大;岡村 祐輝;横手 竜希;藤野 翔太朗;富永 依里子;行宗 詳規;石川 史太郎;林 将平;赤羽 浩一
